Il transistor ad effetto di campo a giunzione (jFET) è un tipo di transistor che ha caratteristiche miste tra transistor a giunzione bipolare e ad effetto di campo
Il transistor JFET è composto da 3 terminali (conduttori che collegano il transistor al circuito): il gate, il drain e il source.
Inoltre la parte interna del transistor è composta da 3 strati di semiconduttori drogati diversamente (PNP o NPN). I 4 terminali sono attaccati a semiconduttori drogati. Il gate è attaccato a uno strato di silicio drogato il cui drogaggio è opposto alla regione di canale (semiconduttore centrale del transistor).
FUNZIONAMENTO
Il transistor è in funzione quando le giunzioni sono polarizzate inversamente e scorre una corrente tra source e drain. Questa corrente è direttamente proporzionale alla tensione tra source e drain.
POLARIZZAZIONE INVERSA = la tensione applicata è negativa
Se si aumenta la tensione tra source e drain (VDS) lasciando a 0 la tensione tra gate e source (VGS), si restringe il canale in cui passa la corrente. Quando la tensione tra source e drain raggiunge il valore di strozzamento, il canale raggiunge la dimensione minima.
Il transistor jFET funziona in maniera diversa in base alla tensione e alla corrente applicata:
- Zona resistiva: quando la tensione VDS assume valori bassi e VGS = 0 ed inizia lo strozzamento del canale
- Zona di interdizione: quando VGS assume valori negativi e VDS = 0 ed inizia comunque lo strozzamento del canale. Questa tensione negativa è detta tensione tra gate e source di interdizione VGS(off)
- Zona di breakdown: quando la tensione inversa tra gate e canale raggiunge un valore (VB) per cui si rompe il canale.
- Zona di saturazione: quando la corrente tra gate e source è costante.
L'equazione che permette di trovare la corrente del drain è la seguente:
